反向传输电容(Crss):59.8pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):47.1nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.9W,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2962pF,输出电容(Coss):965.2pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 59.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 2962pF | |
| 输出电容(Coss) | 965.2pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.78/个 |
| 10+ | ¥5.6/个 |
| 30+ | ¥4.95/个 |
| 100+ | ¥4.22/个 |
| 500+ | ¥3.89/个 |
| 1000+ | ¥3.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.472
2500 PCS/盘
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