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DMT8012LK3-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMT8012LK3-13
- 商品编号
- C211374
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000398千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):1949pF,输出电容(Coss):177pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1949pF | |
| 输出电容(Coss) | 177pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.69/个 |
| 10+ | ¥4.55/个 |
| 30+ | ¥3.98/个 |
| 100+ | ¥3.42/个 |
| 500+ | ¥3.08/个 |
| 1000+ | ¥2.9/个 |
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