反向传输电容(Crss):16pF@40V,导通电阻(RDS(on)):170mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.7W,输入电容(Ciss):315pF,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16pF@40V | |
导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.7W | |
输入电容(Ciss) | 315pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.677/个 |
50+ | ¥0.546/个 |
150+ | ¥0.48/个 |
500+ | ¥0.431/个 |
2500+ | ¥0.392/个 |
5000+ | ¥0.372/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.34224
10000 PCS/盘
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