反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.75Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):736.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):330mW,输入电容(Ciss):60.67pF@10V,连续漏极电流(Id):1066mA,连续漏极电流(Id):845mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.75Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 736.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 330mW | |
输入电容(Ciss) | 60.67pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 1066mA | |
连续漏极电流(Id) | 845mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.416/个 |
100+ | ¥0.329/个 |
300+ | ¥0.286/个 |
3000+ | ¥0.253/个 |
6000+ | ¥0.227/个 |
9000+ | ¥0.214/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.23276
3000 PCS/盘
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