反向传输电容(Crss):440pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):620W,输入电容(Ciss):5110pF,输出电容(Coss):960pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V@100uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 620W | |
| 输入电容(Ciss) | 5110pF | |
| 输出电容(Coss) | 960pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@100uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.74/个 |
| 10+ | ¥3.03/个 |
| 50+ | ¥2.67/个 |
| 100+ | ¥2.32/个 |
| 500+ | ¥2.1/个 |
| 1000+ | ¥2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.4564
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉10.68元