反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):150mΩ@6V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):859pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@6V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 859pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.68/个 |
10+ | ¥5.46/个 |
30+ | ¥4.86/个 |
100+ | ¥4.25/个 |
500+ | ¥3.89/个 |
1000+ | ¥3.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.404
1000 PCS/盘
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