温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
WPM2015-3/TR
扩展库- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 厂家型号
- WPM2015-3/TR
- 商品编号
- C213159
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000039千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):54pF@10V,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):534pF@10V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):0.81V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 534pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.81V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
0.194 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车