温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
WNMD2167-6/TR
扩展库- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 厂家型号
- WNMD2167-6/TR
- 商品编号
- C213164
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 商品毛重
- 0.000049千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):850pF,输出电容(Coss):127pF,连续漏极电流(Id):6.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 输出电容(Coss) | 127pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.479/个 |
| 50+ | ¥0.316/个 |
| 150+ | ¥0.218/个 |
| 500+ | ¥0.194/个 |
| 3000+ | ¥0.175/个 |
| 6000+ | ¥0.165/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.175
3000 PCS/盘
送
换料费券¥300
库存总量
563 PCS电话
顶部
元器件购物车