射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):80MHz,直流电流增益(hFE):70@2mA,6V,耗散功率(Pd):150mW,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):150mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 80MHz | |
直流电流增益(hFE) | 70@2mA,6V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V@100mA,10mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 150mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.124/个 |
10+ | ¥0.0969/个 |
60+ | ¥0.0821/个 |
120+ | ¥0.0732/个 |
480+ | ¥0.0655/个 |
1020+ | ¥0.0614/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05649
3000 PCS/盘
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