射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):150MHz,直流电流增益(hFE):120@50mA,1V,耗散功率(Pd):0.3W,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):0.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 150MHz | |
直流电流增益(hFE) | 120@50mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 0.3W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 0.5A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0982/个 |
500+ | ¥0.0776/个 |
3000+ | ¥0.0662/个 |
6000+ | ¥0.0594/个 |
24000+ | ¥0.0535/个 |
51000+ | ¥0.0503/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0609
3000 PCS/盘
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