导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500W,连续漏极电流(Id):300A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 500W | |
连续漏极电流(Id) | 300A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.25/个 |
10+ | ¥8.75/个 |
30+ | ¥7.8/个 |
100+ | ¥6.38/个 |
500+ | ¥5.95/个 |
1000+ | ¥5.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3
2000 PCS/盘
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