导通电阻(RDS(on)):6mΩ@6V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):158nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,连续漏极电流(Id):220A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@6V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
连续漏极电流(Id) | 220A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.37/个 |
10+ | ¥8.61/个 |
30+ | ¥8.14/个 |
100+ | ¥7.22/个 |
500+ | ¥7/个 |
1000+ | ¥6.91/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.36
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