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NCE65T680K
扩展库- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 厂家型号
- NCE65T680K
- 商品编号
- C216787
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00038千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):3.3pF,导通电阻(RDS(on)):680mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):435pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.93/个 |
| 10+ | ¥2.32/个 |
| 30+ | ¥2.06/个 |
| 100+ | ¥1.74/个 |
| 500+ | ¥1.59/个 |
| 1000+ | ¥1.5/个 |
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