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NCE65T180F
扩展库- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 厂家型号
- NCE65T180F
- 商品编号
- C216788
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.0026千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
导通电阻(RDS(on)):180mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):33.8W,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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|---|---|
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