反向传输电容(Crss):430pF,导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):4380pF,输出电容(Coss):940pF,连续漏极电流(Id):161A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 430pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 140W | |
输入电容(Ciss) | 4380pF | |
输出电容(Coss) | 940pF | |
连续漏极电流(Id) | 161A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.6/个 |
10+ | ¥4.48/个 |
30+ | ¥3.92/个 |
100+ | ¥3.36/个 |
500+ | ¥3.03/个 |
1000+ | ¥2.86/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.756
2000 PCS/盘
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