射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-,晶体管类型:-,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):100@150mA,1V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):600mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
工作温度 | - | |
晶体管类型 | - | |
特征频率(fT) | 250MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@150mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 600mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0731/个 |
30+ | ¥0.0577/个 |
90+ | ¥0.0491/个 |
300+ | ¥0.0439/个 |
1500+ | ¥0.0395/个 |
3000+ | ¥0.032/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0303
3000 PCS/盘
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