射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:-,特征频率(fT):200MHz,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.75V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):600mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | - | |
特征频率(fT) | 200MHz | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.75V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 600mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0826/个 |
50+ | ¥0.0654/个 |
150+ | ¥0.0558/个 |
500+ | ¥0.05/个 |
3000+ | ¥0.0442/个 |
6000+ | ¥0.0415/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.04066
3000 PCS/盘
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