反向传输电容(Crss):3.3pF,导通电阻(RDS(on)):7Ω@2.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):8.5pF,输出电容(Coss):9.3pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@0.1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 9.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.336/个 |
| 10+ | ¥0.266/个 |
| 30+ | ¥0.23/个 |
| 100+ | ¥0.194/个 |
| 500+ | ¥0.174/个 |
| 1000+ | ¥0.164/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.156
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