反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1120pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1120pF | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.7/个 |
| 10+ | ¥2.1/个 |
| 30+ | ¥1.84/个 |
| 100+ | ¥1.52/个 |
| 500+ | ¥1.37/个 |
| 1000+ | ¥1.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.27
3000 PCS/盘
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