温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHG23N60E-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHG23N60E-GE3
- 商品编号
- C222465
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 商品毛重
- 0.00604千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.158Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):95nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):2418pF@100V,连续漏极电流(Id):23A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.158Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 2418pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
7.57 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车