反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):0.126Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):196pF,输出电容(Coss):67pF,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 14pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.126Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 196pF | |
输出电容(Coss) | 67pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.48/个 |
10+ | ¥2.76/个 |
30+ | ¥2.41/个 |
100+ | ¥2.05/个 |
500+ | ¥1.84/个 |
1000+ | ¥1.73/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.73
3000 PCS/盘