反向传输电容(Crss):265pF,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):160nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):6550pF,输出电容(Coss):665pF,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 6550pF | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.35/个 |
| 10+ | ¥15.21/个 |
| 50+ | ¥13.083/个 |
| 100+ | ¥11.241/个 |
| 500+ | ¥10.388/个 |
| 1000+ | ¥9.996/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.402
50 PCS/盘
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