温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NVB6411ANT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVB6411ANT4G
- 商品编号
- C22294567
- 商品封装
- -
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):20V,栅源截止电压(VGS(off)):4V,漏源电流(Idss):77A,耗散功率(Pd):217W,输入电容(Ciss):3700pF,输出电容(Coss):550pF,配置:-
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 漏源电流(Idss) | 77A | |
| 耗散功率(Pd) | 217W | |
| 输入电容(Ciss) | 3700pF | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 配置 | - |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
11.1 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车