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NTB25P06T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTB25P06T4G
- 商品编号
- C223555
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001728千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):180pF,导通电阻(RDS(on)):0.082Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):1680pF,输出电容(Coss):480pF,连续漏极电流(Id):27.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.082Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 1680pF | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥17.75/个 |
| 10+ | ¥14.89/个 |
| 30+ | ¥13.1/个 |
| 100+ | ¥11.26/个 |
| 500+ | ¥10.43/个 |
| 800+ | ¥10.07/个 |
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