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HSBB50N02
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSBB50N02
- 商品编号
- C22359232
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):7mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):29W,输入电容(Ciss):2250pF,输出电容(Coss):200pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 输入电容(Ciss) | 2250pF | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.661/个 |
| 50+ | ¥0.578/个 |
| 150+ | ¥0.542/个 |
| 500+ | ¥0.497/个 |
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