温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
AP9928GEM-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- AP9928GEM-VB
- 商品编号
- C22389704
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.0002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.019Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.026Ω@2.5V,栅极电荷量(Qg):9.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,连续漏极电流(Id):7.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.019Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.026Ω@2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.881 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车