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2SJ387L-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 2SJ387L-VB
- 商品编号
- C22389780
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.0008千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):0.056Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.072Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,栅极电荷量(Qg):19nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):1150pF,输出电容(Coss):205pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.056Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.072Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 输入电容(Ciss) | 1150pF | |
| 输出电容(Coss) | 205pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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