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双路 GBP:2MHz 电流(Ib): 70pA Vos:1uV
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HOPA2335AIDR
- 商品编号
- C22392684
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000117千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
共模抑制比(CMRR):130dB,功能特性:EMI滤波/RF抑制,功能特性:零漂移/自动稳零,功能特性:ESD保护,功能特性:内置补偿,单电源电压:2V~5.5V,压摆率(SR):1.2V/us,双电源(Vee~Vcc):-2.75V~-1V,双电源(Vee~Vcc):1V~2.75V,增益带宽积(GBW):2MHz,工作温度:-40℃~+125℃,轨到轨:轨到轨输入,轨到轨输出,输入偏置电流(Ib):70pA,输入失调电压(Vos):0.5uV,输入失调电压温漂(Vos TC):5nV/℃,输入失调电流(Ios):100pA,输入电压噪声密度(eN):30nV/√Hz@1kHz,输出电流:40mA,静态电流(Iq):110uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 共模抑制比(CMRR) | 130dB | |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制 | |
| 功能特性 | 零漂移/自动稳零 | |
| 功能特性 | ESD保护 | |
| 功能特性 | 内置补偿 | |
| 单电源电压 | 2V~5.5V | |
| 压摆率(SR) | 1.2V/us | |
| 双电源(Vee~Vcc) | -2.75V~-1V | |
| 双电源(Vee~Vcc) | 1V~2.75V | |
| 增益带宽积(GBW) | 2MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 输入偏置电流(Ib) | 70pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 0.5uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5nV/℃ | |
| 输入失调电流(Ios) | 100pA | |
| 输入电压噪声密度(eN) | 30nV/√Hz@1kHz | |
| 输出电流 | 40mA | |
| 静态电流(Iq) | 110uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.845/个 |
| 10+ | ¥3.905/个 |
| 30+ | ¥3.43/个 |
| 100+ | ¥2.964/个 |
| 500+ | ¥2.679/个 |
| 1000+ | ¥2.537/个 |
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