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FDBL86062-F085-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- FDBL86062-F085-VB
- 商品编号
- C22395908
- 商品封装
- TOLL-8L
- 商品毛重
- 0.0014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):0.002Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):74nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):370W,输入电容(Ciss):9600pF,输出电容(Coss):246pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.002Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 输入电容(Ciss) | 9600pF | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.87/个 |
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| 30+ | ¥8.51/个 |
| 100+ | ¥8.37/个 |
| 102+ | ¥8.37/个 |
| 104+ | ¥8.37/个 |
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