导通电阻(RDS(on)):0.58Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):78W,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.58Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 78W | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.421/个 |
10+ | ¥1.134/个 |
30+ | ¥1.0105/个 |
100+ | ¥0.857/个 |
500+ | ¥0.788/个 |
1000+ | ¥0.656/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.605
2500 PCS/盘
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