导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):83W,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 83W | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.95/个 |
50+ | ¥1.552/个 |
150+ | ¥1.382/个 |
500+ | ¥1.0721/个 |
2500+ | ¥0.977/个 |
5000+ | ¥0.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.89884
2500 PCS/盘
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