反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):220W,输入电容(Ciss):7500pF,输出电容(Coss):755pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 输入电容(Ciss) | 7500pF | |
| 输出电容(Coss) | 755pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.94/个 |
| 10+ | ¥2.31/个 |
| 30+ | ¥2.04/个 |
| 100+ | ¥1.7/个 |
| 500+ | ¥1.55/个 |
| 1000+ | ¥1.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.8768
50 PCS/盘
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