反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):81nC@18V,漏源电压(Vdss):750V,耗散功率(Pd):319W,输入电容(Ciss):2869pF,输出电容(Coss):181pF,连续漏极电流(Id):89A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 17pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 81nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 750V | |
耗散功率(Pd) | 319W | |
输入电容(Ciss) | 2869pF | |
输出电容(Coss) | 181pF | |
连续漏极电流(Id) | 89A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥117.74/个 |
10+ | ¥113.62/个 |
12+ | ¥113.62/个 |
14+ | ¥113.62/个 |
16+ | ¥113.62/个 |
18+ | ¥113.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥113.619
240 PCS/盘