CMTI(kV/us):200kV/us,工作温度:-40℃~+125℃@(Tj),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):1V~1.2V,输入侧工作电压:2.85V~3.5V,输入高电平(VIH):2.1V~2.3V,隔离电压(Vrms):1200
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
CMTI(kV/us) | 200kV/us | |
工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
输入低电平(VIL) | 1V~1.2V | |
输入侧工作电压 | 2.85V~3.5V | |
输入高电平(VIH) | 2.1V~2.3V | |
隔离电压(Vrms) | 1200 |