上升时间(tr):10.5ns,下降时间(tf):13.3ns,传播延迟 tpHL:30ns,传播延迟 tpLH:30ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.2V~30V,拉电流(IOH):1.8A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2V,静态电流(Iq):7.9mA,驱动通道数:1,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 10.5ns | |
| 下降时间(tf) | 13.3ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.2V~30V | |
| 拉电流(IOH) | 1.8A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2V | |
| 静态电流(Iq) | 7.9mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.71/个 |
| 10+ | ¥33.72/个 |
| 30+ | ¥30.68/个 |
| 96+ | ¥28.13/个 |
| 98+ | ¥28.13/个 |
| 100+ | ¥28.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥25.8796
96 PCS/盘
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