温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

扩展库

品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HVS3V3BN1HST15R
商品编号: C22440146
商品封装: DFN0603-2L
商品毛重: 0.000005千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

Cj-结电容:0.55pF,击穿电压:4.2V,反向截止电压(Vrwm):3.3V,反向电流(Ir):100nA,峰值脉冲功率(Ppp):96W@8/20us,峰值脉冲电流(Ipp):4A,工作温度:-40℃~+125℃,极性:双向,类型:ESD,通道数:单路,钳位电压:24V,防护等级:IEC 61000-4-2,防护等级:IEC 61000-4-4

找到类似商品：0 种查看类似商品

属性	参数值	其他
商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
Cj-结电容	0.55pF
击穿电压	4.2V
反向截止电压(Vrwm)	3.3V
反向电流(Ir)	100nA
峰值脉冲功率(Ppp)	96W@8/20us
峰值脉冲电流(Ipp)	4A
工作温度	-40℃~+125℃
极性	双向
类型	ESD
通道数	单路
钳位电压	24V
防护等级	IEC 61000-4-2
防护等级	IEC 61000-4-4