温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
扩展库- 品牌名称
- 誉鸿锦
- 厂家型号
- YHJ-65P150AMC
- 商品编号
- C22458936
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 商品毛重
- 0.000347千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):150mΩ,导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V,工作温度:-,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):-
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
3.933 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车