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100V 高频半桥驱动器，具备 HI/LI 或三电平 PWM 输入及可调死区时间
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- HIP2211FBZ-T
- 商品编号
- C22637560
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):20ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:15ns,传播延迟 tpLH:15ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:6V~18V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1.47V,输入高电平(VIH):1.84V,静态电流(Iq):390uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 6V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 1.47V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.84V | |
| 静态电流(Iq) | 390uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.15/个 |
| 10+ | ¥15.8/个 |
| 30+ | ¥15.56/个 |
| 100+ | ¥15.33/个 |
| 102+ | ¥15.33/个 |
| 104+ | ¥15.33/个 |
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