导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):900mW,输入电容(Ciss):600pF@10V,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.173/个 |
| 200+ | ¥0.141/个 |
| 600+ | ¥0.123/个 |
| 3000+ | ¥0.0969/个 |
| 9000+ | ¥0.0878/个 |
| 21000+ | ¥0.0828/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08915
3000 PCS/盘
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