导通电阻(RDS(on)):80mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1400mW,输入电容(Ciss):600pF@15V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.451/个 |
| 50+ | ¥0.44/个 |
| 150+ | ¥0.432/个 |
| 500+ | ¥0.425/个 |
| 510+ | ¥0.425/个 |
| 520+ | ¥0.425/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.413
3000 PCS/盘
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