反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):4nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.2W,输入电容(Ciss):300pF,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@50uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@50uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.282/个 |
| 50+ | ¥0.275/个 |
| 150+ | ¥0.27/个 |
| 500+ | ¥0.265/个 |
| 510+ | ¥0.265/个 |
| 520+ | ¥0.265/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.265
3000 PCS/盘