导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,300mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):45pF@5V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,300mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.546/个 |
| 10+ | ¥1.204/个 |
| 30+ | ¥1.0561/个 |
| 100+ | ¥0.873/个 |
| 500+ | ¥0.791/个 |
| 1000+ | ¥0.738/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.738
3000 PCS/盘