工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):100@100mA,1.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@100mA,1.0V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.351/个 |
100+ | ¥0.277/个 |
300+ | ¥0.24/个 |
3000+ | ¥0.206/个 |
6000+ | ¥0.183/个 |
9000+ | ¥0.172/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18952
3000 PCS/盘
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