工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):100@100mA,1.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):700mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@100mA,1.0V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.249/个 |
200+ | ¥0.204/个 |
600+ | ¥0.179/个 |
3000+ | ¥0.164/个 |
9000+ | ¥0.151/个 |
21000+ | ¥0.144/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15088
3000 PCS/盘
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