反向传输电容(Crss):22pF@15V,导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):600pF,输出电容(Coss):318pF,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 输出电容(Coss) | 318pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.83/个 |
| 50+ | ¥1.437/个 |
| 150+ | ¥1.269/个 |
| 500+ | ¥1.0585/个 |
| 2500+ | ¥0.965/个 |
| 5000+ | ¥0.909/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.8878
2500 PCS/盘
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