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MJD112T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD112T4G
- 商品编号
- C233690
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),特征频率(fT):25MHz,直流电流增益(hFE):1000,类型:NPN,耗散功率(Pd):-,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):3V,集电极截止电流(Icbo):20uA,集电极电流(Ic):2A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 类型 | NPN | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.64/个 |
| 10+ | ¥2.95/个 |
| 30+ | ¥2.61/个 |
| 100+ | ¥2.27/个 |
| 500+ | ¥2.07/个 |
| 1000+ | ¥1.96/个 |
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