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MJD200G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD200G
- 商品编号
- C233743
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):8V,工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:NPN,特征频率(fT):65MHz,直流电流增益(hFE):45@2A,1V,耗散功率(Pd):1.4W,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.8V,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):5A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 65MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 45@2A,1V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
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