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MJD210T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD210T4G
- 商品编号
- C233745
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):8V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):65MHz,直流电流增益(hFE):70@500mA,1V,耗散功率(Pd):12.5W,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):5A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 65MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 70@500mA,1V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.55/个 |
| 10+ | ¥1.98/个 |
| 30+ | ¥1.73/个 |
| 100+ | ¥1.43/个 |
| 500+ | ¥1.29/个 |
| 1000+ | ¥1.21/个 |
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