反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@10V,6.5A,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,6.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.2nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):520pF@15V,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,6.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.1/个 |
| 50+ | ¥0.874/个 |
| 150+ | ¥0.776/个 |
| 500+ | ¥0.655/个 |
| 2500+ | ¥0.601/个 |
| 5000+ | ¥0.569/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.55292
2500 PCS/盘
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