反向传输电容(Crss):115pF@15V,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):888pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 888pF | |
输出电容(Coss) | 110pF | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0224/个 |
50+ | ¥1.589/个 |
150+ | ¥1.403/个 |
500+ | ¥1.171/个 |
2500+ | ¥1.0682/个 |
5000+ | ¥1.0062/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.98274
2500 PCS/盘
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